本文摘要：美光将其DRAM技术门路图从三个单元缩小（生长）阶段更新为四个阶段让每个晶圆能有更大的DRAM容量并降低每GB容量成本。

美光将其DRAM技术门路图从三个单元缩小（生长）阶段更新为四个阶段让每个晶圆能有更大的DRAM容量并降低每GB容量成本。

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1Ynm –（c16-14nm）现在主流的DRAM比特位生产技术；

美光计划通过以下步骤来逐步缩小单元或工艺节点尺寸从20nm节点工艺缩减到10nm（19nm-10nm规模）节点工艺尺寸：

1αnm工艺节点– 2021年上半年量产；

1βnm工艺节点– 早期开发阶段；

1ɣnm工艺节点– 早期工艺集成；

1δnm工艺节点– 寻找目的可能需要EUV（极紫外光刻）技术；

荷兰ASML公司是芯片行业主流光刻机供应商已经研发了可发出较小波长光的EUV（极端紫外线）扫描仪。

这项技术可在晶圆上蚀刻较窄的线条因此可实现更小的工艺尺寸即晶圆上的DRAM裸片数量更多因此每个晶圆的容量会更高每GB容量成本也会更低。但资本开支庞大现在ASML公司每年仅生产30台EUV光刻机这些光刻机重达180吨每台成本1.2亿美元。

在其他条件相同的情况下1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm节点成本。

11δ节点巨细是美光DRAM技术门路图中的新增条目。现在还没有看到低于1Znm的指示性工艺节点尺寸。

美光表现随着从1Xnm到1Ynm和1Znm的转变比特位密度的增速减慢。

可是美光从1Znm到1αnm工艺节点尺寸提升了40％的增长率。

极紫光刻机的应用加速工艺历程

美光接纳深紫外线（DUV）多图案光刻技术在晶圆上设计DRAM单元芯片的细节。随着工艺节点尺寸水平缩小到10nm以下光束的波长成为一个限制。

另外美光的财政似乎也缓过来了近期把停止12月3日的第一季度营收预期从50-54亿美元上调至57亿-57.5亿美元。

三星在1Znm工艺节点中使用了EUVSK海力士计划使用EUV技术批量生产1αnm DRAM和1βnm DRAM。美光认为EUV到2023年甚至更晚才具有成本竞争力也就是1δnm工艺节点才是市场决胜的关键。

1Xnm –（c19-17nm）较早的DRAM技术工艺处置惩罚节点巨细；

富国银行分析师Aaron Rakers指出美光在1Znm DRAM生产中占据有利职位。引用DRAMeXchange数据预计美光在2020年第三季度的1Znm产量占其DRAM比特位产量的15％而三星和SK海力士产量占比则划分为6％和0。

1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度美光DRAM比特位产量占15％；

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